為實現(xiàn)我國的‘碳達峰、碳中和’目標(biāo)，電氣化替代成為關(guān)鍵策略。

通過功率半導(dǎo)體，我們構(gòu)建了高效、可控的能源網(wǎng)絡(luò)，降低能耗和碳排放。功率半導(dǎo)體在計算機、交通、消費電子和汽車電子等行業(yè)的應(yīng)用也逐漸廣泛。

隨著新能源的快速增長，新能源汽車、風(fēng)電和光伏等領(lǐng)域?qū)β拾雽?dǎo)體的需求將大幅增加。

半導(dǎo)體材料已經(jīng)歷經(jīng)三個發(fā)展階段：

由此可見，第三代半導(dǎo)體在高壓、高頻、高速和低阻方面展現(xiàn)出了顯著優(yōu)勢，其擊穿電壓在某些應(yīng)用中甚至能夠達到1200-1700V。這些特點為其帶來了一系列新的特性：

A：極低的內(nèi)部電阻，與同類型硅器件相比，效率提高了70%；

B：低電阻有助于改善熱性能，提高最高工作溫度，優(yōu)化散熱，從而實現(xiàn)更高的功率密度；

C：散熱的優(yōu)化還使得封裝更簡潔，尺寸和重量大大減少；

D：其極短的關(guān)斷時間使得器件能在高開關(guān)頻率下工作，且工作溫度更低。

這些特性在功率器件，尤其是MOSFET和IGBT上的應(yīng)用最為廣泛。

其中，功率器件以MOSFET、IGBT為代表，兩者均為電壓控制電流型功率開關(guān)器件，MOSFET優(yōu)點是驅(qū)動電路簡單、開關(guān)速度快、工作頻率高，IGBT是由BJT和MOSFET組合成的復(fù)合器件，兼具兩者的優(yōu)點：速度快、能耗低、體積小、而且大功率、大電流、高電壓。

 MOSFET以柵極（G）極電壓控制MOSFET開關(guān)，當(dāng)VGS電壓大于閾值電壓VGS(th) 時，MOSFET導(dǎo)通。

 IGBT同樣以柵極（G）極電壓控制IGBT開關(guān)，當(dāng)VGE電壓大于閾值電壓VGE(th) 時，IGBT導(dǎo)通。

 因此，在第三代半導(dǎo)體高速發(fā)展的同時，測量技術(shù)也面臨全面升級，特別是高電壓、大電流、高頻率測試，以及電容特性（CV）特性。

 本方案用于解決MOSFET、IGBT單管器件、多個器件、模組器件的CV特性綜合解決。

在了解本方案之前，需先了解寄生電容、CV特性、柵極電阻Rg測試技術(shù)。

一、功率器件的米勒效應(yīng)、CV特性

1、MOS管的寄生電容

以中國臺灣育碧VBZM7N60為例MOS管具有三個內(nèi)在的寄生電容：Cgs、Cgd、Cds以及柵極電阻Rg。

三個等效電容是構(gòu)成串并聯(lián)組合的關(guān)系，它們并不是獨立的，而是相互影響，其中一個關(guān)鍵電容就是米勒電容Cgd。這個電容不是恒定的，它隨著柵極和漏極間電壓變化而迅速變化，同時會影響柵極和源極電容的充電。

規(guī)格書上對上述三個電容的CV特性描述為：在給定的工作條件下，這三個電容的電容值會隨著VDS電壓的增加而呈現(xiàn)下降的趨勢。

2、MOS管的米勒效應(yīng)

理想的MOS管驅(qū)動波形應(yīng)是方波，當(dāng)Cgs達到門檻電壓之后， MOS管就會進入飽和導(dǎo)通狀態(tài)。實際上在MOS管的柵極驅(qū)動過程中，由于米勒效應(yīng)，會存在一個米勒平臺。米勒平臺實際上就是MOS管處于“放大區(qū)"的典型標(biāo)志，所以導(dǎo)致開通損耗很大。

3、寄生電容、CV特性、柵極電阻Rg測試技術(shù)

由前述知識可見，功率器件的寄生電容的測試，需要滿足下列幾點：

 ①由于寄生電容基本在pF級別至nF級別，測試頻率至少需要100kHz-1MHz，這些可由參數(shù)表找到；

 ②測試寄生電容時，用于測試的LCR或者阻抗分析儀至少需要2路直流電源，其中VDS需要電壓很高，由幾十V至幾百V，第三代半導(dǎo)體功率器件甚至需要幾千V；

 ③參數(shù)表中CV特性曲線，需要可變的VDS，因此DS電壓源需要可調(diào)電源。

 具體幾個寄生電容極柵極電阻測試原理如下：

二、半導(dǎo)體功率器件CV特性測試痛點

現(xiàn)今，市場上功率器件CV特性測試儀器，普遍存在下列痛點：

1. 進口設(shè)備

進口設(shè)備功能全、一體化集成度高、測試準(zhǔn)確，但是有如下缺點：

a) 價格昂貴，動則幾十萬甚至上百萬的價格，一般企業(yè)很難承受。

b) 操作繁瑣，集成了太多功能加上大多英文化的操作界面，對于用戶操作并不友好。

c) 測試效率低，一臺設(shè)備可能完成動態(tài)特性、靜態(tài)特性的全部測試，但是接線復(fù)雜、操作難度大，測試結(jié)果用時較長， 測試效率無法保障。

1. 國產(chǎn)設(shè)備

在進口設(shè)備無法滿足用戶測試需求的情況下，國產(chǎn)設(shè)備應(yīng)運而生，以相對功能單一、操作方便、價格低廉快速占領(lǐng)了一部分市場，但是，這些設(shè)備同樣也有如下缺點：

a） 體積龐大，大多數(shù)國產(chǎn)設(shè)備，由于沒有專業(yè)的電容測試經(jīng)驗，通常是用幾臺電源、一臺LCR、工控機或者PLC、機箱、 測試工裝等組合而成，因此體積過大，無法適用于自動化產(chǎn)線快速生產(chǎn)。

b） 漏源電壓VDS過低，大多最高只能達到1200V左右，已無法滿足第三代半導(dǎo)體功率器件測試需求。

c） 測量精度低，由于缺乏專業(yè)電容測量經(jīng)驗，加上過多的轉(zhuǎn)接，導(dǎo)致電容特別是pF級別的小電容無法達到合適的測量精度。

d） 測試效率低，同樣由于組合儀器過多，加上需用工控機或PLC控制過多儀器，導(dǎo)致測試單個器件時間過長。

e） 擴展性差，由于設(shè)備過多，各種儀器不同的編程協(xié)議，很難開放第三方接入以集成至客戶產(chǎn)線自動化測試整體方案中。

三、同惠半導(dǎo)體功率器件CV特性解決方案

針對當(dāng)前測試痛點，同惠電子作為國產(chǎn)器件測量儀器頭部企業(yè)，責(zé)無旁貸的擔(dān)負起進口儀器國產(chǎn)化替代的責(zé)任，本著為客戶所想、為客戶分憂的精神，契合市場熱點及需求，及時推出了針對半導(dǎo)體功率器件CV特性的一體化、系列化解決方案。 

單管或者多個MOSFET、IGBT測試解決方案 

單管器件或者多個單管器件測試相對簡單，同惠提供了TH510系列半導(dǎo)體C-V特性分析儀即可滿足基本測試要求。TH510系列半導(dǎo)體半導(dǎo)體C-V特性分析儀基本情況如下：

四、多芯器件或模組MOSFET、IGBT測試方案

多芯器件、模組器件由于內(nèi)部集成多個MOSFET、IGBT芯片，而且內(nèi)部電路比較復(fù)雜，因此，測試相對復(fù)雜。

由上圖可見，部分多芯器件、模組器件由于腳位眾多、核心多、有貼片封裝、異形封裝等，如果用單機去測試，接線都很困難，而要完成整顆器件測試更是難上加難。因此，同惠為此開發(fā)了針對模組式器件的測試系統(tǒng)：

整套系統(tǒng)基于TH510系列半導(dǎo)體CV特性分析儀，加上定制工裝、上位機軟件等組成了一套完整的測試、數(shù)據(jù)分析系統(tǒng)。